來(lái)源：學(xué)術(shù)之家整理 2025-03-18 15:40:20
《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》中文名稱(chēng)：《ECS固態(tài)科學(xué)與技術(shù)雜志》，創(chuàng)刊于2012年，由Electrochemical Society, Inc.出版商出版，出版周期12 issues/year。
ECS 固體科學(xué)與技術(shù)雜志 (JSS) 于 2012 年推出，發(fā)表涵蓋固體科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)和應(yīng)用領(lǐng)域的杰出研究，包括材料和器件化學(xué)和物理的實(shí)驗(yàn)和理論方面。
JSS 有五個(gè)主題領(lǐng)域：
碳納米結(jié)構(gòu)和器件
介電科學(xué)與材料
電子材料與加工
電子和光子器件與系統(tǒng)
發(fā)光和顯示材料、器件與加工。
旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國(guó)內(nèi)外MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)等。
| 機(jī)構(gòu)名稱(chēng) | 發(fā)文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 59 |
| STATE UNIVERSITY SYSTEM... | 54 |
| KOREA UNIVERSITY | 42 |
| HEBEI UNIVERSITY OF TEC... | 40 |
| UNIVERSITY OF ARIZONA | 30 |
| TIANJIN KEY LAB ELECT M... | 29 |
| ARACA INC | 27 |
| NATIONAL YANG MING CHIA... | 26 |
| IMEC | 25 |
| NATIONAL TSING HUA UNIV... | 20 |
| 國(guó)家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 299 |
| USA | 244 |
| Japan | 128 |
| South Korea | 128 |
| Taiwan | 98 |
| India | 67 |
| GERMANY (FED REP GER) | 47 |
| Iran | 34 |
| Belgium | 28 |
| Italy | 28 |
| 文章引用名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
| 2300V Reverse Breakdown Volt... | 32 |
| Review-Field-Effect Transist... | 31 |
| Review-Theory and Characteri... | 26 |
| Review-Mn4+-Activated Red an... | 24 |
| Silver-Doped Titania Modifie... | 22 |
| Review-Phosphor Plates for H... | 19 |
| Review-Narrow-Band Nitride P... | 18 |
| 2.32 kV Breakdown Voltage La... | 17 |
| Review-Progress in High Perf... | 16 |
| Hydrogen Centers in beta-Ga2... | 15 |
| 被引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J ALLOY COMPD | 98 |
| JPN J APPL PHYS | 89 |
| APPL PHYS LETT | 82 |
| J LUMIN | 80 |
| J APPL PHYS | 65 |
| J MATER CHEM C | 61 |
| APPL SURF SCI | 58 |
| J MATER SCI-MATER EL | 49 |
| MATER RES EXPRESS | 47 |
| 引用期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 1113 |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J APPL PHYS | 552 |
| J ELECTROCHEM SOC | 494 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 249 |
| PHYS REV B | 222 |
| MICROELECTRON ENG | 204 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 202 |
| JPN J APPL PHYS | 189 |
| APPL SURF SCI | 179 |
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