開篇：寫作不僅是一種記錄，更是一種創造，它讓我們能夠捕捉那些稍縱即逝的靈感，將它們永久地定格在紙上。下面是小編精心整理的12篇集成電路設計工藝流程，希望這些內容能成為您創作過程中的良師益友，陪伴您不斷探索和進步。

第1篇

關鍵詞：版圖設計；集成電路；教學與實踐

中圖分類號：G642.0 文獻標志碼：A 文章編號：1674-9324（2014）06-0153-02

目前，集成電路設計公司在招聘新版圖設計員工時，都希望找到已經具備一定工作經驗的，并且熟悉本行業規范的設計師。但是，IC設計這個行業圈并不大，招聘人才難覓，不得不從其他同行業挖人才或通過獵頭公司。企業不得不付出很高的薪資，設計師才會考慮跳槽，于是一些企業將招聘新員工目標轉向了應屆畢業生或在校生，以提供較低薪酬聘用員工或實習方式來培養適合本公司的版圖師。一些具備版圖設計知識的即將畢業學生就進入了IC設計行業。但是，企業通常在招聘時或是畢業生進入企業一段時間后發現，即使是懂點版圖知識的新員工，電路和工藝的知識差強人意，再就是行業術語與設計軟件使用不夠熟練、甚至不懂。這就要求我們在版圖教學時滲入電路與工藝等知識，使學生明確其中緊密關聯關系，樹立電路、工藝以及設計軟件為版圖設計服務的理念。

一、企業對IC版圖設計的要求分析

集成電路設計公司在招聘版圖設計員工時，除了對員工的個人素質和英語的應用能力等要求之外，大部分是考查專業應用的能力。一般都會對新員工做以下要求：熟悉半導體器件物理、CMOS或BiCMOS、BCD集成電路制造工藝；熟悉集成電路（數字、模擬）設計，了解電路原理，設計關鍵點；熟悉Foundry廠提供的工藝參數、設計規則；掌握主流版圖設計和版圖驗證相關EDA工具；完成手工版圖設計和工藝驗證[1，2]。另外，公司希望合格的版圖設計人員除了懂得IC設計、版圖設計方面的專業知識，還要熟悉Foundry廠的工作流程、制程原理等相關知識[3]。正因為其需要掌握的知識面廣，而國內學校開設這方面專業比較晚，IC版圖設計工程師的人才缺口更為巨大，所以擁有一定工作經驗的設計工程師，就成為各設計公司和獵頭公司爭相角逐的人才[4，5]。

二、針對企業要求的版圖設計教學規劃

1.數字版圖設計。數字集成電路版圖設計是由自動布局布線工具結合版圖驗證工具實現的。自動布局布線工具加載準備好的由verilog程序經過DC綜合后的網表文件與Foundry提供的數字邏輯標準單元版圖庫文件和I/O的庫文件，它包括物理庫、時序庫、時序約束文件。在數字版圖設計時，一是熟練使用自動布局布線工具如Encounter、Astro等，鑒于很少有學校開設這門課程，可以推薦學生自學或是參加專業培訓。二是數字邏輯標準單元版圖庫的設計，可以由Foundry廠提供，也可由公司自定制標準單元版圖庫，因此對于初學者而言設計好標準單元版圖使其符合行業規范至關重要。

2.模擬版圖設計。在模擬集成電路設計中，無論是CMOS還是雙極型電路，主要目標并不是芯片的尺寸，而是優化電路的性能，匹配精度、速度和各種功能方面的問題。作為版圖設計者，更關心的是電路的性能，了解電壓和電流以及它們之間的相互關系，應當知道為什么差分對需要匹配，應當知道有關信號流、降低寄生參數、電流密度、器件方位、布線等需要考慮的問題。模擬版圖是在注重電路性能的基礎上去優化尺寸的，面積在某種程度上說仍然是一個問題，但不再是壓倒一切的問題。在模擬電路版圖設計中，性能比尺寸更重要。另外，模擬集成電路版圖設計師作為前端電路設計師的助手，經常需要與前端工程師交流，看是否需要版圖匹配、布線是否合理、導線是否有大電流流過等，這就要求版圖設計師不僅懂工藝而且能看懂模擬電路。

3.逆向版圖設計。集成電路逆向設計其實就是芯片反向設計。它是通過對芯片內部電路的提取與分析、整理，實現對芯片技術原理、設計思路、工藝制造、結構機制等方面的深入洞悉。因此，對工藝了解的要求更高。反向設計流程包括電路提取、電路整理、分析仿真驗證、電路調整、版圖提取整理、版圖繪制驗證及后仿真等。設計公司對反向版圖設計的要求較高，版圖設計工作還涵蓋了電路提取與整理，這就要求版圖設計師不僅要深入了解工藝流程；而且還要熟悉模擬電路和數字標準單元電路工作原理。

三、教學實現

1.數字版圖。數字集成電路版圖在教學時，一是掌握自動布局布線工具的使用，還需要對UNIX或LINUX系統熟悉，尤其是一些常用的基本指令；二是數字邏輯單元版圖的設計，目前數字集成電路設計大都采用CMOS工藝，因此，必須深入學習CMOS工藝流程。在教學時，可以做個形象的PPT，空間立體感要強，使學生更容易理解CMOS工藝的層次、空間感。邏輯單元版圖具體教學方法應當采用上機操作并配備投影儀，教師一邊講解電路和繪制版圖，一邊講解軟件的操作、設計規則、畫版圖步驟、注意事項，學生跟著一步一步緊隨教師演示學習如何畫版圖，同時教師可適當調整教學速度，適時停下來檢查學生的學習情況，若有錯加以糾正。這樣，教師一個單元版圖講解完畢，學生亦完成一個單元版圖。亦步亦趨、步步跟隨，學生的注意力更容易集中，掌握速度更快。課堂講解完成后，安排學生實驗以鞏固所學。邏輯單元版圖教學內容安排應當采用目前常用的單元，并具有代表性、擴展性，使學生可以舉一反三，擴展到整個單元庫。具體單元內容安排如反相器、與非門/或非門、選擇器、異或門/同或門、D觸發器與SRAM等。在教授時一定要注意符合行業規范，比如單元的高度、寬度的確定要符合自動布局布線的要求；單元版圖一定要最小化，如異或門與觸發器等常使用傳輸門實現，繪制版圖時注意晶體管源漏區的合并；大尺寸晶體管的串并聯安排合理等。

2.模擬版圖。模擬集成電路版圖設計更注重電路的性能實現，經常需要與前端電路設計工程師交流。因此，版圖教學時教師須要求學生掌握模擬集成電路的基本原理，學生能識CMOS模擬電路，與前端電路工程師交流無障礙。同時也要求學生掌握工藝對模擬版圖的影響，熟練運用模擬版圖的晶體管匹配、保護環、Dummy晶體管等關鍵技術。在教學方法上，依然采用數字集成電路版圖的教學過程，實現教與學的同步。在內容安排上，一是以運算放大器為例，深入講解差分對管、電流鏡、電容的匹配機理，版圖匹配時結構采用一維還是二維，具體是如何布局的，以及保護環與dummy管版圖繪制技術。二是以帶隙基準電壓源為例，深入講解N阱CMOS工藝下雙極晶體管PNP與電阻匹配的版圖繪制技術。在教學時需注意晶體管與電阻并聯拆分的合理性、電阻與電容的類型與計算方法以及布線的規范性。

3.逆向版圖設計。逆向集成電路版圖設計需要學生掌握數字標準單元的命名規范、所有標準單元電路結構、常用模擬電路的結構以及芯片的工藝，要求學生熟悉模擬和數字集成單元電路。這樣才可以在逆向提取電路與版圖時，做到準確無誤。教學方法同樣還是采用數字集成電路版圖教學流程，達到學以致用。教學內容當以一個既含數字電路又含模擬電路的芯片為例。為了提取數字單元電路，需講解foundry提供的標準單元庫里的單元電路與命名規范。在提取單元電路教學時，說明數字電路需要歸并同類圖形，例如與非門、或非門、觸發器等，同樣的圖形不要分析多次。強調學生注意電路的共性、版圖布局與布線的規律性，做到熟能生巧。模擬電路的提取與版圖繪制教學要求學生掌握模擬集成電路常用電路結構與工作原理，因為逆向設計軟件提出的元器件符號應該按照易于理解的電路整理，使其他人員也能看出你提取電路的功能，做到準確通用規范性。

集成電路版圖設計教學應面向企業，按照企業對設計工程師的要求來安排教學，做到教學與實踐的緊密結合。從教學開始就向學生灌輸IC行業知識，定位準確，學生明確自己應該掌握哪些相關知識。本文從集成電路數字版圖、模擬版圖和逆向設計版圖這三個方面就如何開展教學可以滿足企業對版圖工程師的要求展開探討，安排教學有針對性。在教學方法與內容上做了分析探討，力求讓學生在畢業后可以順利進入IC行業做出努力。

參考文獻：

[1]王靜霞，余菲，趙杰.面向職業崗位構建高職微電子技術專業人才培養模式[J].職業技術教育，2010，31（14）：5-8.

[2]劉俐，趙杰.針對職業崗位需求？搖探索集成電路設計技術課程教學新模式[J].中國職業技術教育，2012，（2）：5-8.

[3]鞠家欣，鮑嘉明，楊兵.探索微電子專業實踐教學新方法-以“集成電路版圖設計”課程為例[J].實驗技術與管理，2012，29（3）：280-282.

[4]李淑萍，史小波，金曦.微電子技術專業服務地方經濟培養高技能人才的探索[J].職業技術教育，2010，13（11）：13-16.

第2篇

一種有效的實驗用波帶片的制作方法，詳細說明了波帶片的設計與制作過程以及各步驟的注意事項，并由實驗給出了測試結果。

【關鍵詞】

波帶片；設計制作

1引言

隨著制造業的發展對加工精度提出了越來越高的要求，傳統機床加工精度已經遠遠不能滿足飛速發展的的要求，使得微納加工的應用領域得到了很大拓展。首先是應用于軍事領域，然后被廣泛地推廣至各個領域。其中電子束光刻技術是推動微米電子學和微納米加工發展的關鍵技術，尤其在納米制造領域中起著不可替代的作用，包括利用電子束直寫技術制作波帶片。

在慣性約束聚變（ICF）中微米、亞微米級空間分辨的X光成像技術是很重要的等離子體診斷技術之一。目前用于ICF實驗中高分辨靶源輻射成像的方法主要有：針孔成像、掠入射顯微成像、編碼成像、波帶片成像等。前三種成像技術完全基于幾何光學理論和嚴格限制高級衍射。所以他們的分辨率都不能達到深亞微米的水平，文獻報道目前只有微波片成像技術可以達到5um的空間分辨率，以滿足人們的對分辨率的要求。

2微波帶片的制作原理

微波帶片是一種特殊的光學透鏡，它是通過衍射特性對光束進行聚焦的，不是利用器件對光的折射特性進行工作。波帶片成像技術能夠獲得深亞微米、納米級的實驗水平。微聚焦波帶片成像和其他方法相比，具有空間分辨率高、聚光效率高、應用范圍廣等特點。這種成像技術的分辨率完全依賴于微波帶片最外環的寬度，通常系統所能獲得的極限分辨率是微波帶片最外環寬度的1.22倍。如果波帶片的最外環寬度是25cm，就可以達到30cm的高空間分辨率。

波帶片制作方法主要有機械刻劃、激光全息光刻、電子束直寫等。機械刻劃條件極為苛刻，不僅時間長而且精度不高，很難刻劃出亞微米的線條。激光全息光刻雖然能夠制作出深亞微米水平的微波帶片，但是它的控制精度和分辨率不能與電子束直寫相比較。但是，電子束制作可以制作出納米級的高分辨率圖形，卻不能夠制作高寬比的圖形。對于微波帶片的制作，采用陰陽圖形互換技術，即電子束直寫和同步輻射X射線光刻技術混合的光刻方法，充分利用上述兩種光刻技術的優點避免他們各自的缺點，先使用電子束直寫方法制作低低寬比的陽圖形（大面積為透光圖形）微波帶片，然后用同步輻射X射線光刻技術復制高高寬比的陰圖形（大面積為不透光圖形）微波帶片。

同步輻射X射線之所以被用于光刻，是因為X射線能在很厚的材料上定義出分辨率非常高的圖形。由于X射線波長極短，為0.01～10nm數量級，因此分辨率相當高，同步輻射X射線光刻是一種非常好的可用于100nm以下分辨率的光刻技術，且能在這個波段范圍內穿透絕大多數材料。同步輻射X射線光刻能得到非常大的光刻線條高寬比，這對滿足后步光刻圖形的轉移及加工的要求非常重要。

3為波帶片數據處理

目前常規集成電路設計工具軟件中的圖形編輯器較難處理圓弧和任意函數曲線等復雜圖形，并且圖形生成器所產生的任意一個多邊形的頂點數不得超過200個點，這樣對于制作高分辨率的波帶片就形成了一個障礙。實際應用中對于波帶片質量的要求極高，如果僅僅制作由200個點構成的圓環，那么最終得到的圖形就是一個還有很多棱角的圖形，失去了圓環的性質和功能不能滿足高分辨率成像的要求。由于制作高分辨率的波帶片，特征線條尺寸很小，數據量會很大，如果采用手工通過一個個扇形環面拼接的話，工作量會非常巨大，不好實現而且容易出錯，準確度也很難控制。所以我們可以利用如下方法處理圓環。首先將要繪制的每一個圓環分成n份，然后再將每一份分成90份這樣就用182個點表示一個多邊形，根據實驗要求的精度和條件，選取不同的n值，理論上n值越大越逼近圓環，誤差就越小；然而如果n值過大，多邊形的拼接處就會越多，臨近效應就越顯著，反而帶來不好的影響，并且會使數據量劇增，給處理帶來很大的麻煩。

在實驗中通過宏文件將每一個圓環分成40份，每一份都用182個頂點來表示，最終很好地消除了棱角和“鼓包”的現象，得到很好的實驗結果。“鼓包”是由于電子束系統雙曝光造成的。電子束處理兩個相鄰的圖形時，對于交接處電子束要進行兩次曝光，從而造成這些地方曝光劑量過大，形成鼓包。

4制作流程

圖1電子束制作微波帶片掩模流程圖

具體的制作工藝流程如圖1所示。利用低壓化學氣相沉積方法，在900℃下將SiH2Cl2/NH3的混合氣體通入管道中，在硅片兩面同時淀積所需要的2um厚的氮化硅薄膜。將正性抗蝕劑旋涂在硅片的正反兩面，使用常規的光刻技術，進行曝光，再使用反應離子刻蝕機，利用SF6氣體在片子的背面刻出所需要的SiNx窗口，利用化學濕法腐蝕法將背面的體硅去掉，留下自支撐的氮化硅薄膜。利用電子束蒸發設備在片子的正面分別形成8nm厚的鉻層和15nm厚的金層。在硅片的正面旋涂正性抗蝕劑，利用電子束曝光機進行直寫，再經過電鍍、去膠、打底金、漂鉻等工藝就得到所要制作微波帶片的掩模。然后，利用得到的掩模進行同步輻射X射線光刻復制。

5實驗結果

成功地實現了陰陽圖形互換技術。首先，利用電子束直寫成功制成了陽圖形微波帶片，然后用同步輻射X射線光刻技術復制成功陰圖形（大面積為不透光圖形）微波帶片。